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基于金属氧化物的光电极具有成本低、丨对含量丰富且易于实用的制备而被广泛用于构建PEC器件。内蒙研究成果以题为InvestigationandmitigationofdegradationmechanismsinCu2OphotoelectrodesforCO2reductiontoethylene发布在国际著名期刊NatureEnergy上。

因此，古西对其他不稳定材料的保护方案的合理设计需要对工作条件下光电极的（光）电化学转化的严格理解。在不同的金属氧化物光电阴极中，部地氧化亚铜（Cu2O）具有窄的带隙用于捕获可见光，部地并且具有合适的能带排列用于析氢反应（HER）或CO2还原反应（CO2RR）。【图文解读】图一、区电企业Cu2O在水溶液中的化学转化（a）Cu2O/FTO光电阴极在AM1.5G模拟阳光（100mWcm-2）下和黑暗中，区电企业在0.1MNa2SO4（N2饱和）、KHCO3（CO2饱和）和KHCO3（N2饱和）水溶液电流密度-电压曲线

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同时，古西尽管激子在纳米半导体中普遍存在，古西由于接触或介电界面处的非理想性导致严重的非本征损耗，直接将光电器件特性与激子行为联系起来仍然具有挑战性今日，美国加州大学洛杉矶分校的段镶锋、JustinR.Caram课题组，通过使用具有最小界面紊乱的范德华接触，抑制了接触诱导的Shockley-Read-Hall复合(肖克莱里德霍尔复合)，实现了二维半导体二极管中几乎本征的光物理决定器件性能。【引言】二维(2D)半导体因其独特的光物理性质引起了人们的极大兴趣，部地包括大的激子结合能和强的栅极可调性，这是由它们的维数降低引起的。

总之，区电企业本工作发现一个激子扩散受限模型很好地解释了电荷密度依赖的短路光电流，这一结果进一步被扫描光电流显微镜所证实。解铝 【图文导读】图1.原子薄WSe2 p-n二极管具有原子清洁vdW触点 图2.2DWSe2 p-n二极管的掺杂相关光电性能 图3.依赖掺杂的TRPL和激子荷电俄歇 图4.光电流与激子寿命的关系文献链接：Approachingtheintrinsicexcitonphysicslimitintwo-dimensionalsemiconductordiodes.Nature599,404–410(2021).https://doi.org/10.1038/s41586-021-03949-7